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【新品發(fā)布】湖南靜芯推出針對(duì)HDBaseT接口的靜電和浪涌防護(hù)器件SENC26F3V4UC,可替代RClamp2504N

發(fā)表日期 :2024-10-07 欄目 : 產(chǎn)品動(dòng)態(tài)瀏覽次數(shù) : 66

湖南靜芯HDBaseT產(chǎn)品推薦

湖南靜芯(http://www.elecsuper.com/)推出超小體積、超高峰值電流,超低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC,該產(chǎn)品專為HDBaesT接口的TX(發(fā)送)和RX(接收)線路設(shè)計(jì)。SENC26F3V4UC為單路保護(hù)器件,具備3.3V低觸發(fā)電壓和7V低鉗位電壓特性,滿足115V低壓浪涌(8/20us)的過壓保護(hù)需求(VRWM=3.3V MAX,VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us))。以其更小的容值和更高的峰值電流,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號(hào)線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過壓保護(hù)效果,確保了信號(hào)的完整性和設(shè)備的安全性。

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圖1基本電性圖

SENC26F3V4UC參數(shù)對(duì)比RClamp2504N:

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表2器件測(cè)試參數(shù)對(duì)比

HDBaseT應(yīng)用電路框圖

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圖1 典型應(yīng)用圖

防護(hù)方案中所使用ESD型號(hào)參數(shù)描述:

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表3 產(chǎn)品型號(hào)