湖南靜芯（http://www.elecsuper.com/）推出超強抗ESD集成型MOSFET型號ES1N20AK，應用于DC-DC轉換，電源開關以及充電電路等。該器件在SOT-23-3L封裝內集成ESD器件，使MOS管在無ESD保護的情況下GS端有IEC 6kV，HBM8 kV的靜電防護能力，和業內競品相比，柵極漏電流與輸入電容明顯降低，防護性能顯著提高，性能提升明顯。
傳統帶ESD MOS管，ESD 人體模型（HBM）防護能力在2kV左右，柵極漏電流IGSS在5至30uA左右，且集成ESD功能多由柵極集成串聯poly（多晶）電阻方式來解決ESD問題，原理是在柵極串聯一個比較大的電阻，造成了MOS管開關時間變長，高頻領域應用受限。同時由于傳統集成ESD MOSFET工藝復雜，一般情況會比不集成ESD MOSFET價格高30%~40%。與傳統帶ESD MOS器件相比，湖南靜芯的增強ESD型MOSFET系列，人體模型（HBM）防護能大于±8kV，IEC61000-4-2 Contact 標準防護能力大于±6kV，柵極漏電流IGSS 典型值為1~10nA（MAX<100nA），柵極電阻與傳統不帶ESD MOS管一致，對MOS管的柵極性能基本沒有影響，抗靜電能力領先市面上傳統集成ESD MOSFET很多，且不影響高頻領域的使用。湖南靜芯提出創新工藝，使得公司增強ESD型MOSFET系列成本與常規不帶ESD MOS成本非常接近，為客戶提供了高性價、高靜電能力的MOSFET新選擇。
湖南靜芯集成ESD MOSFET與傳統集成ESD MOSFET參數對比：
ES1N20AK N型 200V MOSFET，IGSS低至±100nA，ESD防護能力人體模型（HBM）>±8kV，61000-4-2（IEC）>±6kV，相較于市面上的同類型防護器件，在同等的測試環境中，擁有更低的IGSS柵極漏電流，更高的ESD防護能力以及更低的輸入輸出電容。ES1N20AK與市場上傳統集成ESD MOSFET產品規格書參數對比如圖所示：
ES1N20AK增強ESD型MOS管電氣參數表：
