湖南靜芯（http://www.elecsuper.com/）推出超強(qiáng)抗ESD集成型MOSFET型號(hào)ES1N20AK，應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換，電源開關(guān)以及充電電路等。該器件在SOT-23-3L封裝內(nèi)集成ESD器件，使MOS管在無(wú)ESD保護(hù)的情況下GS端有IEC 6kV，HBM8 kV的靜電防護(hù)能力，和業(yè)內(nèi)競(jìng)品相比，柵極漏電流與輸入電容明顯降低，防護(hù)性能顯著提高，性能提升明顯。
傳統(tǒng)帶ESD MOS管，ESD 人體模型（HBM）防護(hù)能力在2kV左右，柵極漏電流IGSS在5至30uA左右，且集成ESD功能多由柵極集成串聯(lián)poly（多晶）電阻方式來(lái)解決ESD問(wèn)題，原理是在柵極串聯(lián)一個(gè)比較大的電阻，造成了MOS管開關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，高頻領(lǐng)域應(yīng)用受限。同時(shí)由于傳統(tǒng)集成ESD MOSFET工藝復(fù)雜，一般情況會(huì)比不集成ESD MOSFET價(jià)格高30%~40%。與傳統(tǒng)帶ESD MOS器件相比，湖南靜芯的增強(qiáng)ESD型MOSFET系列，人體模型（HBM）防護(hù)能大于±8kV，IEC61000-4-2 Contact 標(biāo)準(zhǔn)防護(hù)能力大于±6kV，柵極漏電流IGSS 典型值為1~10nA（MAX<100nA），柵極電阻與傳統(tǒng)不帶ESD MOS管一致，對(duì)MOS管的柵極性能基本沒有影響，抗靜電能力領(lǐng)先市面上傳統(tǒng)集成ESD MOSFET很多，且不影響高頻領(lǐng)域的使用。湖南靜芯提出創(chuàng)新工藝，使得公司增強(qiáng)ESD型MOSFET系列成本與常規(guī)不帶ESD MOS成本非常接近，為客戶提供了高性價(jià)、高靜電能力的MOSFET新選擇。
湖南靜芯集成ESD MOSFET與傳統(tǒng)集成ESD MOSFET參數(shù)對(duì)比：
ES1N20AK N型 200V MOSFET，IGSS低至±100nA，ESD防護(hù)能力人體模型（HBM）>±8kV，61000-4-2（IEC）>±6kV，相較于市面上的同類型防護(hù)器件，在同等的測(cè)試環(huán)境中，擁有更低的IGSS柵極漏電流，更高的ESD防護(hù)能力以及更低的輸入輸出電容。ES1N20AK與市場(chǎng)上傳統(tǒng)集成ESD MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書參數(shù)對(duì)比如圖所示：
ES1N20AK增強(qiáng)ESD型MOS管電氣參數(shù)表：
