半導(dǎo)體管特性圖示儀

可根據(jù)需要測(cè)量半導(dǎo)體二極管、三極管的低頻直流參數(shù)，最大集電極電流可達(dá)50A，基本滿足功率500W

以下的半導(dǎo)體管的測(cè)試。

* 本儀器還附有高壓的測(cè)試裝置，可對(duì)5000V以下的半導(dǎo)體管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測(cè)試，其測(cè)試電流最高靈敏度達(dá)到0.5uA/度。

* 本儀器所提供的基極階梯信號(hào)還具有脈沖階梯輸出，因此可擴(kuò)大測(cè)量范圍及對(duì)二次擊穿特性的測(cè)量。

* 本儀器帶階梯偏置電壓(△VB)，-6V～+6V連續(xù)可調(diào)。特別適宜大功率VMOS管測(cè)試。

1.集電極電流偏轉(zhuǎn)系數(shù)

a)集電極電流范圍(Ic)： 1μA/度～5A/度。按1、2、5進(jìn)制分21檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。

b)二極管電流范圍(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5進(jìn)制分9檔，各檔誤差不大于3％。

c)集電極電流及二極管電流倍率×0.5，誤差不大于10％。

d)基極電流或基極源電壓0.1V/度，誤差不大于3％。

2.集電極電壓偏轉(zhuǎn)系數(shù)

a)集電極電壓范圍(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5進(jìn)制分21檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。

b)二極管電壓范圍(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5進(jìn)制分3檔級(jí)，各檔誤差不大于10％。

c)基極電壓范圍(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5進(jìn)制分7檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。

d)基極電流或基極源電壓:：0.05V/度，誤差不大于3％。

3.基極階梯信號(hào)

a)階梯電流范圍(IB)： 10uA/度～200mA/度。按1、2、5進(jìn)制分17檔級(jí)，各檔誤差不大于5％。

b)階梯電壓范圍(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5進(jìn)制分5檔級(jí)，各檔誤差不大于5％。

c)串聯(lián)電阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各檔誤差不大于10％。

d)階梯波形：分正常（100%）及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調(diào)節(jié)范圍為10～40%。

e)每簇級(jí)數(shù)：0～10級(jí)，連續(xù)可調(diào)。

f)階梯偏置電壓(△VB)：-6V～+6V，連續(xù)可調(diào)。

g)階梯作用：分重復(fù)、關(guān)、單次三檔級(jí)。

h)階梯輸入：分正常、零電流、零電壓三檔級(jí)。

i)階梯極性：分正、負(fù)二檔。

4.集電極掃描電壓

a)輸出電壓與檔級(jí)： 0～10V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)0～50V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)0～50V 正或負(fù)連可調(diào)0～100V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)0～500V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)

b)輸出電流容量：0～10V 50A（脈沖階梯工作狀態(tài)時(shí)）0～10V 20A（平均值）0～50V 10A（平均值）0～100V 5A （平均值）0～500V 0.5A（平均值）

c)功耗限制電阻： 0～500KΩ 按1、2、5進(jìn)制分20檔級(jí)，各檔誤差不大于10％。

d)整流方式： 全波

e)輸出極性：＋，－

f)集電極容性電流； 平衡后不超過(guò)2uA（10V檔）

g)集電極漏電流；平衡后不超過(guò)2uA（10V檔）

5.二極管測(cè)試裝置

a)輸出電壓：0～5000V 正向連續(xù)可調(diào)

b)輸出電流容量：最大為5mA

c)整流方式：半波

6.其他

a)適配器高壓測(cè)試座、三極管測(cè)試座、功率三極管測(cè)試座

b)重量約30kg。

c)外形尺寸300mm×408mm×520mm（W×H×D）。

d)功耗：非測(cè)試狀態(tài)時(shí)： 約80VA；最大功率時(shí)：約300VA。

e)輸入電壓：220V±10％；

f)頻率：50HZ±5％。

g)示波管：15SJ118-DC 有效工作面8×10cm。

h)電磁兼容性傳導(dǎo)干擾應(yīng)符合GB/T 6833.9中第1章的要求。輻射干擾應(yīng)符合GB/T 6833.10中第1章的要求。環(huán)境應(yīng)符合GB/T 6587.1中Ⅱ級(jí)儀器的規(guī)定，運(yùn)輸試驗(yàn)按2級(jí)。