概述
人體模型（HBM）模擬了人體因摩擦等原因帶電后，與集成電路引腳接觸并放電的情形。人體的等效電阻較大，放電時間長，峰值電流相對較小，但仍可能對集成電路造成損壞。標準MIL-STD-883C method 3015.7提供了等效電路圖，其中人體等效電容為100pF，放電電阻為1.5kΩ。為更真實模擬放電情況，還考慮了寄生電容和電感的影響，并提出了改進的等效電路圖。
1.I/O引腳到電源引腳的應力測試
對于每個IO引腳，其相對于正電源或負電源的引腳都可能存在正向和負向的靜電應力，因此有四種測試模式：PS、NS、PD和ND。進行某一IO引腳對電源引腳的應力測試時，其他引腳需懸浮。PS模式模擬帶正電的人體接觸IO引腳并通過VSS放電；NS模式模擬帶負電的人體接觸IO引腳并通過VSS放電；PD模式模擬帶正電的人體接觸IO引腳并通過VDD放電；ND模式模擬帶負電的人體接觸IO引腳并通過VDD放電。
2.I/O引腳到I/O引腳的應力測試
在實際靜電放電測試中，為全面模擬不同IO引腳間的正、負應力情形并提高效率，通常對某一IO引腳進行IO到IO應力測試時，將其他IO引腳接地。正向測試時，被測引腳受應力，ESD電流從該引腳流入并經其他引腳流出至地；負向測試時，電流流向相反。
3.VDD引腳到VSS引腳應力測試
電源引腳間也存在正負應力情況。在VDD到VSS的應力測試中，IO引腳需懸浮。正向測試模擬正電人體接觸VDD經VSS放電，ESD電流從VDD流入VSS；負向測試模擬負電人體接觸VDD放電，電流方向相反。
充電器件模型（CDM）與HBM和MM不同，它模擬集成電路在組裝或運輸中帶電，當接觸地或其他導體時，電荷從集成電路內部流出。其放電電流上升快，持續時間短，峰值電流約為HBM的15~20倍。CDM的等效電路考慮了IC內部靜電和等效電容的變化，這些變化受IC擺放角度、位置和封裝形式的影響。
上述三種放電模型的電流-時間波形差異顯著：HBM波形持續時間長且平緩；MM波形正負振蕩；CDM波形除了振蕩外，速度快、過沖大，對器件沖擊更大。
由于CDM放電機制獨特，其測試方法也與眾不同。測試分兩步：先給待測IC襯底充電并儲存，充電時串聯高阻值限流電阻以防損壞。P型襯底IC的VSS引腳與襯底相連，通過限流電阻對VSS充電。充電后，IC帶有正或負電壓，再由其他引腳連續放電，完成測試。CDM測試分插座和非插座放電，前者通過IC插座與繼電器開關，后者是帶電IC浮空狀態下直接放電。
國際電工委員會(IEC)制定了系統級ESD測試標準，模擬人體對IC系統的放電行為。該測試旨在確保產品在用戶使用時遭遇ESD仍能正常工作，性能不受影響。IEC 61000-4-2采用接觸和空氣放電兩種方法，定義了四種ESD等級。
接觸測試是首選的ESD測試方法，使用ESD測試槍直接接觸被測器件或系統放電。當無法直接接觸時，可采用空氣放電測試，即測試槍在近距離內對被測器件或系統放電。這兩種方法使用同一設備，包括電源、電壓顯示器、電阻、電容、開關、可更換的放電電極和電纜。為適應不同測試方法，放電電極頭可更換：空氣放電用圓滑頭，接觸放電用鋒利頭。
該ESD測試設備的輸出放電波形包含關鍵參數如上升時間tr、峰值電流Ipeak，以及30ns和60ns時的電流值。上升時間是指電流從10%至90%峰值的時間間隔。
人體金屬模型(HMM)最近才出現,主要是為了符合當前更多的人體通過金屬器具、機械與芯片產品相接觸的情況才提出的。HMM與IEC6100-4-2接觸放電比較類似。
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